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无线充方案和PD充电器方案MOS热要怎样选型才干制止
公布工夫:2021-04-20

无线充方案和PD充电器方案MOS热要怎样选型才干制止

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MOSFET 热的事情消耗分为以下几局部

1、导通消耗Pon


导通消耗,指在 MOSFET 完全开启后负载电流(即漏源电流) IDS(on)(t) 在导通电阻 RDS(on) 上发生之压降形成的消耗。

以是RDS(on) 是大多工程师比力存眷的,小的 Ron 值有利于减小导通时期消耗,小的 Rth 值可减小温度差(异样耗散功率条件下),故有利于散热。


2、停止消耗Poff

停止消耗,指在 MOSFET 完全停止后在漏源电压 VDS(off) 应力下发生的泄电流 IDSS 形成的消耗。


3、开启历程消耗

开启历程消耗,指在 MOSFET 开启历程中渐渐降落的漏源电压 VDS(off_on)(t) 与渐渐上升的负载电流(即漏源电流) IDS(off_on)(t) 交织重叠局部形成的消耗。


4、关断历程消耗

关断历程消耗。指在 MOSFET 关断历程中 渐渐上升的漏源电压 VDS(on_off) (t) 与渐渐 降落的漏源电流 IDS(on_off)(t) 的交织重 叠局部形成的消耗。


5、驱动消耗Pgs

驱动消耗,指栅极承受驱动电源举行驱动形成之消耗

驱动消耗的盘算:

确定驱动电源电压 Vgs 后,可经过如下公式举行盘算:

Pgs= Vgs × Qg × fs

6、Coss电容的泄放消耗Pds

Coss电容的泄放消耗,指MOS输入电容 Coss 停止时期储备的电场能于导同时期在漏源极上的泄放消耗。

阐明:Coss 为 MOSFET 输入电容,一样平常可即是 Cds


7、体内寄生二极管正导游通消耗Pd_f和反向规复消耗Pd_recover

体内寄生二极管正导游通消耗,指MOS体内寄生二极管在承载正向电流时因正向压降形成的消耗。

体内寄生二极管反向规复消耗,指MOS体内寄生二极管在承载正向电流后因反向压致使的反向规复形成的消耗。