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菲ag真人科技推出美芯晟MT5705、MT5811、MT5815、MT5725无线充芯片方案使用案例
公布工夫:2021-08-29

菲ag真人科技推出美芯晟MT5705、MT5811、MT5815、MT5725无线充芯片方案使用案例

美芯晟无线充方案被魅族、倍思、安可等品牌接纳,但市场大少数人以为代价偏贵,以是不为人们理解

菲ag真人科技将深化剖析美芯晟的方案特点,实在它的代价黑白常有竞争力的


MT5705  3-5W无线充吸收芯片,可过QI,次要使用于TWS耳机、腕表、灯类产品

MT5705的上风次要在做足功率5W的无线充吸收,代价可以说现在市场最低。

分外你对温度盼望低,偶然希能到达5V 1.2A-1.5A,固然这也和利用它的工程师设计才能有关。

菲ag真人科技为了轻便客户利用,做了完备的方案,把与无线充吸收电路有关其他电路局部也美满了。真实遇到太多工程师要把无线充的5V间接连电池做充放电,无语。

有兴味的可来菲ag真人科技体验一下在5V1.5A的温度结果,让你在酷热的炎天感觉下凉快




MT5725  10-40W无线充吸收芯片,魅族手机40W正是用的这颗。代价请各人提供比这颗在同规格下更低的信息,固然不要拿3-5W的吸收芯片来比代价。

MT5725在吸收协议上可做EPP、三星等快充协议,有使用于无线充加热杯的成熟案例

电压可定制输入,高可达20V。

用一个40W的无线充吸收芯片去做10W,温度可想而知,凉啊!

假如担忧代价,请各人提供10W比这颗在同规格下代价更低的信息,固然不要拿3-5W的吸收芯片来比代价。

用40W的芯片,做比10W更低的代价。这上风有点不太分明么


MT5811  5W无线充发射芯片,过QI

MT5811接纳双N-MOS的技能,以是温度、照旧温度上风。各人都晓得P-MOS要做到N-MOS一样内阻,本钱要高许多。以是各人可去翻一些P-MOS的规格书比力N-MOS,内阻高而代价又高。

由于市场上过5W QI认证的普片是用10-15W的芯片去过BPP认证。而不像MT5811是专门做过5W QI认证的芯片方案。以是代价也是很有竞争力的,假如还想全体本钱更优上风一点,可以与菲ag真人科技的工程师聊聊设计,让本钱做得更低。


MT5815   10-40W无线充发射芯片,可过EPP认证

用40W的高规格芯片做10-15W。温度低一定不必聊了

别的过EPP认证做15W的芯片,在代价可和MT5815去PK的方案也未几。假如代价差未几,你选用一颗40W的芯片去做15W。是不是你也可和你们的客户吹嘘,本人用的方案够矮小上

接着亮点来了,假如你的无线充的外壳比力厚,市场大多的方案发射间隔在5-6mm,而MT5815可让你发射间隔到达8-10mm,FOD可达8mm以上。是不是办理了你的刚需,优不良好!!!